四探针电阻率测试仪配合不同的探头可以测的材料也不同。配高耐磨的碳化钨探针探头,以测试硅等半导体、金属、导电塑料类等硬质材料的电阻率;配不伤膜的球形或平头镀金铜合金探针探头,可测金属箔、碳纸等导电薄膜,也可测陶瓷、玻璃或PE膜等基底上导电涂层膜,如金属镀膜、喷涂膜、ITO膜、电容卷积膜等材料的薄膜涂层电阻率;配专用箔上涂层探头,也可测试锂电池电池极片等箔上涂层电阻率。
四探针电阻率测试仪也有很多种,例如高温的或者常温的,不同的四探针电阻率测试仪针对不同的材料测量的参数也是不同的。举例,高温四探针电阻率测试仪可以测量硅、锗单晶电阻率和硅外延层、扩散层和离子注入层的方块电阻以及测量导电玻璃和其他导电薄膜的方块电阻,主要用于评估半导体薄膜和薄片的导电性能。HRMS-800高温四探针电阻率测试仪就是,主要测量的参数就是半导体材料的电阻、电阻率、方块电阻等。
四探针测试仪测硅片电阻率时,N型和P型的硅片都可以测。
比如用于做电力元件的硅片是N型的,用于做太阳能电池的硅片是P型的(有的),这些硅片用四探针测试仪都能测。
四探针电阻率测试仪,依据样品性质不同,测试量程也不同,
一般分为:
FT-361低量程,用于测量低阻性涂层,薄膜,铝箔等半导体材料,
方阻量程:10^6~2×10^5Ω/□ 电阻率范围10^7~2×10^6Ω-cm
FT-341通用型中间段量程;可以测量大部分半导体材料;
方阻量程:10^5~2×10^5Ω/□ 电阻率范围10^6~2×10^6Ω-cm
3.FT-371高阻性半导体基底层
方阻量程:10^4~1×10^7Ω/□;电阻率范围10^5~2×10^8Ω-cm
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